MMDT4401_R1_00001, 100nA 40V 225mW 100@150mA,1V 600mA 250MHz 750mV@500mA,50mA 2 NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-363-6 Bipolar Transistors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015832160
- Артикул
- MMDT4401_R1_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Вес, г
- 0.03
- Корпус
- SOT-363
- Transistor Type
- 2 NPN
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 6,21 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
40 В 225 МВт, 100 при 150 мА, 1 В 600 мА, 2 биполярныx транзистора NPN SOT-363-6 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Корпус | SOT-363 |
| Transistor Type | 2 NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 1V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 750mV@500mA, 50mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 600 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 250 |