MMDT4146-7-F, Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005060126
- Артикул
- MMDT4146-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- RoHS
- Details
- Brand
- Diodes Incorporated
- Width
- 1.35 mm
- Height
- 1 mm
Цена по запросу
(от 27 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Width | 1.35 mm |
| Height | 1 mm |
| Length | 2.2 mm |
| Series | MMDT41 |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2.2 mm |
| Серия | MMDT41 |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package Type | SOT-363(SC-88) |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.35 mm |
| Configuration | Dual |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-363-6 |
| Transistor Type | NPN/PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN, PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 300 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 30 V |
| Maximum DC Collector Current | 200 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 120 |
| Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 25 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 25 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |