Моя заявка (0)

MMDT3904Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT 40V Dual NPN Small Signal Transistor

MMDT3904Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT 40V Dual NPN Small Signal Transistor

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005060118
Артикул
MMDT3904Q-7-F
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
MMDT3904Q
Вес, г
0.01
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 24,87 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) Встроенные в диоды автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) - это высоконадежные транзисторы стандарта AEC-Q101, соответствующие требованиям автомобильной промышленности. В этиx BJT применена передовая кремниевая теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе xарактеристики по напряжению насыщения с учетом занимаемой площади. Автомобильные BJT обеспечивают высокий минимальный коэффициент усиления, что позволяет снизить требования к базовому току и ускорить переключение. Эти BJT поддерживают процесс утверждения производственныx деталей (PPAP).

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:MMDT3904Q
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-363-6
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Power Dissipation NPN200мВт
Power Dissipation PNP-
Pd - Power Dissipation:200 mW
Transition Frequency NPN300МГц
Transition Frequency PNP-
КвалификацияAEC-Q101
Gain Bandwidth Product fT:300 MHz
DC Current Gain hFE Min NPN100hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Continuous Collector Current:200 mA
Maximum DC Collector Current:200 mA
DC Ток Коллектора200мА
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:30
Continuous Collector Current NPN200мА
Continuous Collector Current PNP-
DC Усиление Тока hFE100hFE
Collector Emitter Voltage Max NPN40В
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Линейка Продукции-
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:300 mV
Рассеиваемая Мощность200мВт
Полярность ТранзистораДвойной NPN
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-363
Напряжение Коллектор-Эмиттер40В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101

Техническая документация