MMDT2227, 10nA 200mW 100@150mA,10V 600mA 1 NPN,1 PNP +150-@(Tj) SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015753934
- Артикул
- MMDT2227
- Бренд
- YANGJIE
- Вес, г
- 0.03
- Корпус
- SOT-363
- Transistor Type
- NPN+PNP
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 12 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
200 МВт при 100@150 мА, 10 В 600 мА на биполярныx транзистораx NPN+PNP SOT-363 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Корпус | SOT-363 |
| Transistor Type | NPN+PNP |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz;200MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 10V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 10nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@500mA, 50mA;1.6V@500mA, 50mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 600 |