Моя заявка (0)

MMDT2222V-7, 10nA 40V 150mW 100@150mA,10V 600mA 300MHz 1V@500mA,50mA 2 NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-563 BIpolar TransIstors - BJT

MMDT2222V-7, 10nA 40V 150mW 100@150mA,10V 600mA 300MHz 1V@500mA,50mA 2 NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-563 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070179577
Артикул
MMDT2222V-7
Бренд
DIODES INC.
Brand
Diodes Incorporated
Series
MMDT22
Packaging
Cut Tape or Reel
Вес, г
0.02
Цена по запросу
(от 60 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

BrandDiodes Incorporated
SeriesMMDT22
PackagingCut Tape or Reel
Вес, г0.02
SubcategoryTransistors
ManufacturerDiodes Incorporated
Product TypeBJTs-Bipolar Transistors
ConfigurationDual
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-563-6
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation150 mW
Gain Bandwidth Product FT300 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO6 V
Collector- Base Voltage VCBO75 V
Maximum DC Collector Current0.6 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
DC Collector/Base Gain Hfe Min35
Collector- Emitter Voltage VCEO Max40 V

Техническая документация