MMDT2222ATB6-AU_R1_000A1, Bipolar Transistors - BJT Dual Surface Mount NPN Transistors
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061908911
- Артикул
- MMDT2222ATB6-AU_R1_000A1
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 14,17 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двойной NPN-транзистор для поверxностного монтажа MMDT2222ATB6-AU PANJIT MMDT2222ATB6-AU с двойным NPN-транзистором для поверxностного монтажа - это электрически изолированный двойной NPN-транзистор с коммутацией, соответствующий стандарту AEC-Q101. MMDT2222ATB6-AU работает в диапазоне температур от -55°C до +150°C при максимальном напряжении коллектор-база 75 В и максимальном напряжении коллектор-эмиттер 40 В. Транзистор в корпусе SOT-563 обеспечивает максимальную суммарную рассеиваемую мощность 200 МВт и максимальный ток коллектора 600 мА.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Panjit |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-563-6 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 300 at 150 mA, 10 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 300 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 75 V |
| Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 35 at 0.1 mA, 10 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |