Моя заявка (0)

MMD80R1K2PRH, Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

MMD80R1K2PRH, Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002221031
Артикул
MMD80R1K2PRH
Бренд
MagnaChip Semiconductor
Tab
Tab
PPAP
Unknown
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 113 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveUnknown
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width6.1
Package Length6.73(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologySuper Junction
СтруктураN-Channel
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)20.8
Typical Rise Time (ns)21.2
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)56800
Typical Gate Charge @ 10V (nC)15.2
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)15.2@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)12.4
Maximum Drain Source Voltage (V)800
Typical Turn-Off Delay Time (ns)44.4
Maximum Diode Forward Voltage (V)1.4
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)4.5
Operating Junction Temperature (°C)150
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)483@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)1200@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)30
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация