MMBTSC3875L, 100nA 50V 150mW 350@2mA,6V 150mA 80MHz 100mV@100mA,10mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015873298
- Артикул
- MMBTSC3875L
- Бренд
- PJSEMI
- Вес, г
- 0.04
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Transistor Type
- NPN
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 2 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
50 В 150 МВт 700 Вт при 2 мА, 6 В 150 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-23 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transition Frequency (fT) | 80MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 700@2mA, 6V |
| Maximum DC Collector Current | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@100mA, 10mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 80 |