MMBTH10Q-7-F, Bipolar - RF Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017286502
- Артикул
- MMBTH10Q-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.001
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Структура
- npn
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
РЧ биполярные транзисторы RF Transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Рабочая частота | 650 MHz |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 310 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 650 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 at 4 mA, 10 V |