MMBTH10M3T5G, Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001358700
- Артикул
- MMBTH10M3T5G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.05
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 12 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-723-3 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Pd - Power Dissipation: | 640 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 60 at 4 mA, 10 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 650 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 3 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 60 at 4 mA, 10 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 25 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |