MMBTH10, 100nA 25V 225mW 100@4mA,10V 50mA 650MHz 500mV@4A,400mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015902549
- Артикул
- MMBTH10
- Бренд
- HXY MOSFET
- Вес, г
- 0.04
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Transistor Type
- NPN
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 5 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
25 В 225 МВт при 60 В 4 мА, 10 В 50 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-23-3 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 50mA |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transition Frequency (fT) | 650MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@4mA, 10V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@4A, 400mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 50 |