MMBTH10-4LT1G, Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001204730
- Артикул
- MMBTH10-4LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.07
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- MMBTH10L
Цена по запросу
(от 8,20 ₽)
Минимальный заказ: 6000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 25V VHF Mixer NPN
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.07 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | MMBTH10L |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 0.94 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 3 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 25 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 800 MHz |