MMBTA92-7-F, Транзистор: PNP; биполярный; 300В; 0,5А; 300мВт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017545557
- Артикул
- MMBTA92-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 8
- Длина
- 3.05 mm
- Серия
- MMBTA92
Цена по запросу
(от 7,97 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP; биполярный; 300В; 0,5А; 300мВт; SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 8 |
| Длина | 3.05 mm |
| Серия | MMBTA92 |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 300mW |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | -300 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 300 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 300V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 300мВт |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |