Моя заявка (0)

MMBTA63LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 30В, 0,5А, 225мВт, SOT23

MMBTA63LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 30В, 0,5А, 225мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017546214
Артикул
MMBTA63LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand
ON Semiconductor
Series
MMBTA63L
Packaging
Cut Tape or Reel
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 9,50 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 30В, 0,5А, 225мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

BrandON Semiconductor
SeriesMMBTA63L
PackagingCut Tape or Reel
Вес, г0.01
SubcategoryTransistors
ManufacturerON Semiconductor
Product TypeDarlington Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
Product CategoryDarlington Transistors
Структураpnp
Transistor PolarityPNP
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation225 mW
Emitter- Base Voltage VEBO10 V
Collector- Base Voltage VCBO30 V
Continuous Collector Current-0.5 A
Maximum DC Collector Current0.5 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
DC Collector/Base Gain Hfe Min5000
Maximum Collector Cut-Off Current0.1 uA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max30 V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В30

Техническая документация