MMBTA56WT1G, Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001282891
- Артикул
- MMBTA56WT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 1761 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP; биполярный; 80В; 0,5А; 460мВт; SC70 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Корпус | SC-70-3(SOT323) |
| Configuration | Single |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SC-70 |
| Структура | pnp |
| Standard Package Name | SOT |
| Minimum DC Current Gain | 100@100mA@1V|100@10mA@1V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 4 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 50(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@10mA@100mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |