MMBTA56Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT PNP SS Trans 80Vceo 0.5A 0.3W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005060037
- Артикул
- MMBTA56Q-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.01
- Серия
- MMBTA56
- Power Dissipation
- 350мВт
- Структура
- pnp
Цена по запросу
(от 19,66 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP SS Trans 80Vceo 0.5A 0.3W
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | MMBTA56 |
| Power Dissipation | 350мВт |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Continuous Collector Current | 500мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
| Линейка Продукции | - |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 310 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |