MMBTA56LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 0,5А, 225мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017534502
- Артикул
- MMBTA56LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series:
- MMBTA56L
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.05
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор MMBTA56LT1G от производителя ONSEMI – это высококачественный компонент для современной электронной аппаратуры. Тип PNP этого транзистора позволяет использовать его в различных усилительных и коммутационных цепях. Монтаж SMD обеспечивает удобство интеграции в печатные платы, а ток коллектора в 0,5 А и напряжение коллектор-эмиттер в 80 В делают его подходящим для широкого спектра применений. Мощность устройства составляет 0,225 Вт, что гарантирует надежность в работе при сохранении компактных размеров благодаря корпусу SOT23-3. Приобретая MMBTA56LT1G, вы получаете надежный компонент, способный обеспечить эффективную и стабильную работу ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.5 Напряжение коллектор-эмиттер, В 80 Мощность, Вт 0.225 Корпус SOT23-3
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series: | MMBTA56L |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 50 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 4 V |
| Maximum Operating Frequency | 50 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | -500 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 4 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Continuous Collector Current: | -0.5 A |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 250 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 50 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 80 |