Транзистор, ммBTA42LT1G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057777437
- Артикул
- MMBTA42LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Brand:
- onsemi
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Минимальный заказ: 216 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Brand: | onsemi |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | MMBTA42L |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Standard Package Name | SOT |
| Minimum DC Current Gain | 25 1mA 10V|40 10mA 10V|40 30mA 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 50 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 50 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Поверхностный |
| Maximum DC Collector Current | 500 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 300 V |
| Continuous Collector Current: | 0.5 A |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 300 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 25 |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 300 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 300 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 50(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 300 V |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 300 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9 2mA 20mA |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5 2mA 20mA |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 59*39*39/45000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 40 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 50 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 300 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 300 |