MMBTA42, 100nA 200V 350mW 25@10A,1V 500mA 50MHz 500mV@20mA,2mA -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017647634
- Артикул
- MMBTA42
- Бренд
- JSMicro Semiconductor Co., Ltd
- Вес, г
- 1
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Transistor Type
- NPN
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃
Цена по запросу
(от 2,27 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
300В 350 МВт 100 при 10 мА, 10В 300 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-23 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transition Frequency (fT) | 50MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 10V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 300V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 0.2V@20mA, 2.0mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 50 |