Моя заявка (0)

MMBTA42, 250nA 65V 350mW 60@1mA,10V 100mA 50MHz NPN 200mV@20mA,2mA +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015924375
Артикул
MMBTA42
Бренд
MDD
Вес, г
0.04
Корпус
SOT-23(TO-236)
Transistor Type
NPN
Структура
npn
Цена по запросу
(от 5 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

300В 350 МВт 100 при 10 мА, 10В 300 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-23 - BJT ROHS

Технические параметры

Вес, г0.04
КорпусSOT-23(TO-236)
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Operating Temperature-55℃~+150℃
Collector Current (Ic)500mA
Power Dissipation (Pd)350mW
Transition Frequency (fT)50MHz
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@10mA, 10V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)300V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)0.2V@20mA, 2.0mA
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц50