MMBTA42, 250nA 300V 350mW 100@10mA,10V 300mA 50MHz 200mV@20mA,2mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015861398
- Артикул
- MMBTA42
- Бренд
- High Diode
- Packaging
- Tape и Reel(TR)
- Вес, г
- 0.03
- Manufacturer
- Changjiang Electronics Tech(CJ)
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
Цена по запросу
(от 2,75 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
300В 350 МВт 100 при 10 мА, 10В 300 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-23 - BJT ROHS
Технические параметры
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Вес, г | 0.03 |
| Manufacturer | Changjiang Electronics Tech(CJ) |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Package / Case | SOT-23 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Pd - Power Dissipation | 350mW |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transition Frequency (fT) | 50MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 10V |
| Maximum DC Collector Current | 300mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 300V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 300V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 0.2V@20mA, 2.0mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 50 |