Моя заявка (0)

MMBTA14LT1G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 30В, 300мА, 225мВт

MMBTA14LT1G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 30В, 300мА, 225мВт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017536608
Артикул
MMBTA14LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.21.00.75
PPAP
No
Type
NPN
Width
1.4mm
Цена по запросу
(от 6,25 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

HTS8541.21.00.75
PPAPNo
TypeNPN
Width1.4mm
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.03
PCB changed3
Part StatusActive
Package TypeSOT-23
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package Width1.3
Package Height0.94
Package Length2.9
Transistor TypeNPN
EDA / CAD ModelsMMBTA14LT1G by Ultra Librarian
Supplier PackageSOT-23
Структураnpn
Standard Package NameSOT
Minimum DC Current Gain5000
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation300 mW
Number of Elements per Chip2
Maximum Emitter Base Voltage10 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Collector Base Voltage30 V
Maximum Power Dissipation (mW)300
Maximum Emitter Base Voltage (V)10
Maximum Collector Cut-off Current100nA
Maximum Collector Emitter Voltage30 V
Maximum Collector Base Voltage (V)30
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Collector Current300 mA
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Typical Current Gain Bandwidth (MHz)125(Min)
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)30
Maximum Collector Cut-Off Current (uA)0.1
Maximum Continuous DC Collector Current (A)0.3
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)1.5@0.1mA@100mA
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В30

Техническая документация