Моя заявка (0)

MMBTA14-7-F, Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 30В, 0,3А, 300мВт, SOT23

MMBTA14-7-F, Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 30В, 0,3А, 300мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017536607
Артикул
MMBTA14-7-F
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
1
Корпус
SOT-23(TO-236)
Transistor Type
NPN
Структура
npn
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор биполярный MMBTA14-7-F от производителя DIODES INCORPORATED – это высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD) с корпусом SOT23-3. Данный NPN транзистор отличается током коллектора 0,3 А и напряжением коллектор-эмиттер 30 В, что позволяет использовать его в различных электронных схемах. Мощность устройства составляет 0,3 Вт, обеспечивая надежную и стабильную работу. Компактные размеры и низкий уровень потребляемой мощности делают транзистор MMBTA147F идеальным выбором для мобильных применений и портативной электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.3 Напряжение коллектор-эмиттер, В 30 Мощность, Вт 0.3 Корпус SOT23-3

Технические параметры

Вес, г1
КорпусSOT-23(TO-236)
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)300mA
Power Dissipation (Pd)300mW
Transition frequency (fT)125MHz
DC current gain (hFE@Vce,Ic)20000@100mA, 5V
Collector-emitter voltage (Vceo)30V
Collector cut-off current (Icbo@Vcb)100nA
Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)1.5V@100uA, 100mA
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт300мВт

Техническая документация