Моя заявка (0)

MMBTA13LT3G Dual NPN Darlington Transistor, 300 mA 30 V HFE:5000, 3-Pin SOT-23

MMBTA13LT3G Dual NPN Darlington Transistor, 300 mA 30 V HFE:5000, 3-Pin SOT-23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016663607
Артикул
MMBTA13LT3G
Бренд
ON Semiconductor***
Width
1.4mm
Pin Count
3
Вес, г
1
Package Type
SOT-23
Цена по запросу
(от 27 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор ON Semiconductor MMBTA13L представляет собой NPN-кремниевый усилитель на транзистораx Дарлингтона. Размер корпуса транзистора − SOT-23.

Технические параметры

Width1.4mm
Pin Count3
Вес, г1
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23(TO-236)
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Minimum DC Current Gain5000
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation300 mW
Number of Elements per Chip2
Maximum Emitter Base Voltage10 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Collector Base Voltage30 V
Maximum Collector Cut-off Current100nA
Maximum Collector Emitter Voltage30 V
Maximum Continuous Collector Current300 mA
Maximum Base Emitter Saturation Voltage1.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V

Техническая документация