Моя заявка (0)

MMBTA13LT1G, Darlington Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pins

MMBTA13LT1G, Darlington Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8292583465
Артикул
MMBTA13LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Width
1.4mm
Pin Count
3
Вес, г
0.05
Package Type
SOT-23
Цена по запросу
(от 47 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А

Технические параметры

Width1.4mm
Pin Count3
Вес, г0.05
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23(TO-236)| SOT-23
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Minimum DC Current Gain5000
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation300 mW
Number of Elements per Chip2
Maximum Emitter Base Voltage10 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Collector Base Voltage30 V
Maximum Collector Cut-off Current100nA
Maximum Collector Emitter Voltage30 V
Maximum Continuous Collector Current300 mA
Maximum Base Emitter Saturation Voltage1.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В30

Техническая документация