MMBTA13LT1G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 30В, 300мА, 225мВт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017536606
- Артикул
- MMBTA13LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.4mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.05
- Package Type
- SOT-23
Цена по запросу
(от 4,37 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Minimum DC Current Gain | 5000 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 10 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
| Maximum Collector Cut-off Current | 100nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 300 mA |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |