Моя заявка (0)

MMBTA10, 100nA 25V 200mW 60@4mA,10V 100mA 650MHz 500mV@4mA,400uA NPN +150°C@(Tj) TO-236-3 BIpolar TransIstors - BJT

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017658621
Артикул
MMBTA10
Бренд
Semtech
Вес, г
0.03
Корпус
TO-236-3
Transistor Type
NPN
Структура
npn
Цена по запросу
(от 12 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы NPN TO-236-3 мощностью 25 В 200 МВт при 60 В 4 мА, 10 В 100 мА - BJT ROHS

Технические параметры

Вес, г0.03
КорпусTO-236-3
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)100mA
Power Dissipation (Pd)200mW
Transition Frequency (fT)650MHz
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)60@4mA, 10V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)25V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@4mA, 400uA
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц50