MMBTA06Q-7-F, 100nA 80V 350mW 100@10mA,1V 500mA 100MHz 250mV@100mA,10mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070189458
- Артикул
- MMBTA06Q-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.75
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Military
- No
Цена по запросу
(от 24,74 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Small Sig Trans 60Vcbo 60Vceo 4.0V
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.75 |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.05 |
| Серия | MMBTA06 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single |
| Package Width | 1.3 |
| Package Height | 0.98 |
| Package Length | 2.9 |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 100@10mA@1V|100@100mA@1V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 350 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 4 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 310 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@10mA@100mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |