Моя заявка (0)

MMBTA06Q-7-F, 100nA 80V 350mW 100@10mA,1V 500mA 100MHz 250mV@100mA,10mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

MMBTA06Q-7-F, 100nA 80V 350mW 100@10mA,1V 500mA 100MHz 250mV@100mA,10mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070189458
Артикул
MMBTA06Q-7-F
Бренд
DIODES INC.
HTS
8541.29.00.75
Type
NPN
EU RoHS
Compliant
Military
No
Цена по запросу
(от 24,74 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Small Sig Trans 60Vcbo 60Vceo 4.0V

Технические параметры

HTS8541.29.00.75
TypeNPN
EU RoHSCompliant
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.05
СерияMMBTA06
PCB changed3
Part StatusActive
ConfigurationSingle
Package Width1.3
Package Height0.98
Package Length2.9
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSOT-23
AEC Qualified NumberAEC-Q101
Standard Package NameSOT-23
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain100@10mA@1V|100@100mA@1V
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum Power Dissipation (mW)350
Maximum DC Collector Current (A)0.5
Maximum Emitter Base Voltage (V)4
Maximum Collector Base Voltage (V)80
Maximum Transition Frequency (MHz)100(Min)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)80
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности310 mW
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.25@10mA@100mA
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)4 V
Непрерывный коллекторный ток500 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер250 mV
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация