Моя заявка (0)

MMBTA06-7-F, Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

MMBTA06-7-F, Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001142348
Артикул
MMBTA06-7-F
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
MMBTA06
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 4 ₽)
Минимальный заказ: 9000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:MMBTA06
Pin Count3
Вес, г1
Technology:Si
Package TypeSOT-23
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Minimum DC Current Gain100
Pd - Power Dissipation:310 mW
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation300 mW
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:4 V
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current500 mA
Maximum Emitter Base Voltage4 V
Collector- Base Voltage VCBO:80 V
Continuous Collector Current:500 mA
Maximum DC Collector Current:500 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage80 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Collector Emitter Voltage80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:250 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5

Техническая документация