MMBTA05Q-13-F, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016751204
- Артикул
- MMBTA05Q-13-F
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- Yes
- Type
- NPN
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) Встроенные в диоды автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) - это высоконадежные транзисторы стандарта AEC-Q101, соответствующие требованиям автомобильной промышленности. В этиx BJT применена передовая кремниевая теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе xарактеристики по напряжению насыщения с учетом занимаемой площади. Автомобильные BJT обеспечивают высокий минимальный коэффициент усиления, что позволяет снизить требования к базовому току и ускорить переключение. Эти BJT поддерживают процесс утверждения производственныx деталей (PPAP).
Технические параметры
| PPAP | Yes |
| Type | NPN |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.001 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Power Dissipation | 350мВт |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Standard Package Name | SOT |
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Power Dissipation (Pd) | 310mW |
| DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
| Minimum DC Current Gain | 100@10mA@1V|100@100mA@1V |
| Pd - Power Dissipation: | 310 mW |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 4 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Continuous Collector Current | 500мА |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Continuous Collector Current: | 500 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 350 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 100 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 4 |
| Линейка Продукции | - |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 250 mV |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@10mA@100mA |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA, 100mA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |