MMBTA05LT1G, Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001212994
- Артикул
- MMBTA05LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Package Type
- SOT-23
- Корпус
- SOT-23
Цена по запросу
(от 5,90 ₽)
Минимальный заказ: 6000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.5 А, 0.225Вт
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 225 mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
| Maximum DC Collector Current | 500 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 4 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V dc |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 10mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |