Моя заявка (0)

MMBT9013H-H23, 100nA 30V 200mW 230@50mA,1V 500mA 100MHz 600mV@500mA,50mA NPN +150°C@(Tj) TO-236-3 BIpolar TransIstors - BJT

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017658619
Артикул
MMBT9013H-H23
Бренд
Semtech
Вес, г
0.03
Корпус
TO-236-3
Transistor Type
NPN
Структура
npn
Цена по запросу
(от 5 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30 В 200 МВт, 230 В при 50 мА, 1 В 500 мА на биполярныx транзистораx NPN TO-236-3 - BJT ROHS

Технические параметры

Вес, г0.03
КорпусTO-236-3
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)500mA
Power Dissipation (Pd)200mW
Transition Frequency (fT)100MHz
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)230@50mA, 1V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)30V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)600mV@500mA, 50mA
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100