MMBT9012H-H35, 100nA 30V 200mW 230@50mA,1V 500mA 100MHz PNP 600mV@500mA,50mA +150°C@(Tj) TO-236-3 BIpolar TransIstors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017658618
- Артикул
- MMBT9012H-H35
- Бренд
- Semtech
- Вес, г
- 0.03
- Корпус
- TO-236-3
- Transistor Type
- PNP
- Структура
- pnp
Цена по запросу
(от 4 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 200 МВт, 230 В при 50 мА, 1 В 500 мА на биполярныx транзистораx PNP TO-236-3 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Корпус | TO-236-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 230@50mA, 1V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@500mA, 50mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |