MMBT8550D, 100nA 25V 350mW 160@100mA,1V 600mA 100MHz 500mV@500mA,50mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015899649
- Артикул
- MMBT8550D
- Бренд
- PJSEMI
- Вес, г
- 0.04
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Transistor Type
- PNP
- Структура
- pnp
Цена по запросу
(от 4 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
25 В 350 МВт, 400 при 100 мА, 1 В 600 мА, биполярные транзисторы PNP SOT-23 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 120MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@100mA, 1V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 600 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |