MMBT8550D(1.5A), 100nA 25V 350mW 160@100mA,1V 1.5A 120MHz 500mV@800mA,80mA PNP +150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017623808
- Артикул
- MMBT8550D(1.5A)
- Бренд
- PJSEMI
- Вес, г
- 0.04
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Transistor Type
- PNP
- Структура
- pnp
Цена по запросу
(от 5 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 120MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@100mA, 1V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 120 |