MMBT6521LT1G, Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001033774
- Артикул
- MMBT6521LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- MMBT6521L
- Высота
- 0.94 mm
Цена по запросу
(от 14 ₽)
Минимальный заказ: 5068 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 40V NPN
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | MMBT6521L |
| Высота | 0.94 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.3 mm |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 150 |