Моя заявка (0)

MMBT6427-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 40В, 500мА, 300мВт, SOT23-3

MMBT6427-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 40В, 500мА, 300мВт, SOT23-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070099522
Артикул
MMBT6427-7-F
Бренд
DIODES INC.
Case
SOT23
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
MMBT6427
Mounting
SMD
Цена по запросу
(от 21 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MMBT6427-7-F, транзисторы Дарлингтона, 40 В, 300 МВт

Технические параметры

CaseSOT23
Brand:Diodes Incorporated
Series:MMBT6427
MountingSMD
Вес, г0.02
ManufacturerDIODES INCORPORATED
Polarisationbipolar
Subcategory:Transistors
КорпусSOT23/TO-236AB
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:Darlington Transistors
Configuration:Single
Kind of packagereel, tape
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Collector current0.5A
Power dissipation0.3W
Product Category:Darlington Transistors
Kind of transistorDarlington
Type of transistorNPN
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Collector Current (Ic)500mA
Power Dissipation (Pd)300mW
Collector-emitter voltage40V
Emitter- Base Voltage VEBO:12 V
DC current gain (hFE@Vce,Ic)20000@5V, 100mA
Collector- Base Voltage VCBO:40 V
Maximum DC Collector Current:500 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:10000
Collector-emitter voltage (Vceo)40V
Maximum Collector Cut-off Current:50 nA
Collector cut-off current (Icbo@Vcb)1uA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)1.5V@500mA, 500uA

Техническая документация