MMBT5551LT1G, Транзистор маломощный SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017530185
- Артикул
- MMBT5551LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 4,90 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор маломощный SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Standard Package Name | SOT |
| Minimum DC Current Gain | 80 1mA 5V|80 10mA 5V|30 50mA 5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3(TO-236) |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | 600 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Maximum Collector Base Voltage | 180 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.6 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 140 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 180 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 160 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1 1mA 10mA|1 5mA 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.15 1mA 10mA|0.2 5mA 50mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 180 |