MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
![MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]](https://static.epl-electro.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 57960
- Артикул
- MMBT5551LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.05
- Корпус
- SOT-23
- Структура
- npn
- Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
- 0.225
Цена по запросу
(от 4,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | SOT-23 |
| Структура | npn |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 180 |