MMBT5551G-B-AE3-R, 50nA 160V 350mW 150@10mA,5V 600mA 100MHz 200mV@50mA,5mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015935832
- Артикул
- MMBT5551G-B-AE3-R
- Бренд
- Unisonic Technologies Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.04
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Transistor Type
- NPN
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 3,80 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
160 В 350 МВт, 150 В при 10 мА, 5 В 600 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-23 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 150@10mA, 5V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@50mA, 5mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 600 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |