MMBT5551-B, Транзистор биполярный BJT 100 нА 160 В 500мВт 100 при 10 мА, 5 В 600 мА 110 МГц 90 мВ при 50 мА, 5 мА NPN +150-@(Tj) SOT-23
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015780804
- Артикул
- MMBT5551-B
- Бренд
- Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.
- Вес, г
- 0.03
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Transistor Type
- NPN
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 2,05 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
160 В 500 МВт, 100 при 10 мА, 5 В 600 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-23 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 500mW |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transition Frequency (fT) | 110MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 5V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 90mV@50mA, 5mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 110 |