Bipolar junction transistor, NPN, 600 mA, 160 V, SMD, SOT-23, MMBT5551

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057424213
- Артикул
- MMBT5551
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- I d
- 600 мА
- Version
- NPN
- Assembly
- SMD
- Enclosure
- SOT-23
Цена по запросу
(от 5,99 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SMD-транзистор общего назначения, MMBT5551, Diotec SMD-транзистор общего назначения NPN Приложения Обработка сигналов Переключение Усиление
Технические параметры
| I d | 600 мА |
| Version | NPN |
| Assembly | SMD |
| Enclosure | SOT-23 |
| Frequency | 100 MHz |
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | SOT-23(TO-236)| SOT-23 |
| Collector current | 600 mA |
| Power dissipation | 0.25 W |
| Структура | npn |
| Полярность | NPN |
| Transit frequency fTmin | 300 MHz |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 180 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 160 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80…250 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 180 |
Техническая документация
Declaration of Conformity - DE Declaration of Conformitypdf, 79 КБDeclaration of Conformity - EN Declaration of Conformitypdf, 78 КБTechnical Data Sheet - EN/DE Technical Data Sheetpdf, 575 КБДокументацияpdf, 601 КБТехническая информацияpdf, 609 КБТехническая информацияpdf, 336 КБDatasheet MMBT5551pdf, 143 КБ