MMBT5551,Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044638629
- Артикул
- MMBT5551
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- I d
- 600 мА
- Version
- NPN
- Assembly
- SMD
- Enclosure
- SOT-23
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор MMBT5551 от производителя DIOTEC — компактное и надежное решение для современной электроники. Этот NPN транзистор предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и подойдет для широкого спектра применений благодаря своим техническим характеристикам: ток коллектора составляет 0,6 А, напряжение коллектор-эмиттер достигает 160 В, а мощность рассеивания равна 0,35 Вт. Компактный корпус SOT23 обеспечивает легкую интеграцию в различные схемы. Используя MMBT5551, вы получаете гарантию стабильности и долговечности для ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.6 Напряжение коллектор-эмиттер, В 160 Мощность, Вт 0.35 Корпус SOT23
Технические параметры
| I d | 600 мА |
| Version | NPN |
| Assembly | SMD |
| Enclosure | SOT-23 |
| Frequency | 100 MHz |
| Вес, г | 0.039 |
| Корпус | SOT-23 |
| Collector current | 600 mA |
| Power dissipation | 0.25 W |
| Структура | npn |
| Полярность | NPN |
| Transit frequency fTmin | 300 MHz |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 180 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 160 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80…250 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 180 |