MMBT5550LT3G, 100nA 140V 225mW 60@10mA,5V 600mA NPN 250mV@50mA,5mA -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017646446
- Артикул
- MMBT5550LT3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series:
- MMBT5550L
- Вес, г
- 0.04
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 14,85 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series: | MMBT5550L |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 160 V |
| Continuous Collector Current: | 600 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 60 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 140 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 250 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 600 |