MMBT5401LT1G, Транзистор маломощный SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017530184
- Артикул
- MMBT5401LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- RoHS
- Details
- Type
- PNP
- Brand
- ON Semiconductor
Цена по запросу
(от 3,64 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| RoHS | Details |
| Type | PNP |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 1.3 mm |
| Height | 0.94 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | MMBT5401L |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.03 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.3 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Package Height | 0.94 |
| Package Length | 2.9 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Standard Package Name | SOT |
| Pd - Power Dissipation | 225 mW |
| Minimum DC Current Gain | 50@50mA@5V|60@10mA@5V|50@1mA@5V |
| Transistor Configuration | Single |
| Gain Bandwidth Product fT | 300 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | -160 V |
| Continuous Collector Current | -0.5 A |
| Maximum DC Collector Current | 0.5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 50 |
| Maximum Collector Base Voltage | 160 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 150 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 160 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 300 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -150 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.5 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 150 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1@5mA@50mA|1@1mA@10mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2@1mA@10mA|0.5@5mA@50mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 150 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 160 |