MMBT5401-G, Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002296664
- Артикул
- MMBT5401-G
- Бренд
- Comchip Technology
- RoHS
- Details
- Type
- RF Bipolar Power
- Brand
- Comchip Technology
- Type:
- RF Bipolar Power
Цена по запросу
(от 38 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокочастотные биполярные транзисторы VCEO=-150 В IC=-600 мА
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | RF Bipolar Power |
| Brand | Comchip Technology |
| Type: | RF Bipolar Power |
| Brand: | Comchip Technology |
| Series | MMBT5401 |
| Packaging | Reel |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.00709 oz |
| Manufacturer | Comchip Technology |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Manufacturer: | Comchip Technology |
| Product Type: | RF Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23 |
| Product Category | RF Bipolar Transistors |
| Transistor Type: | Bipolar Power |
| Product Category: | RF Bipolar Transistors |
| Структура | pnp |
| Operating Frequency: | 100 MHz |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | -5 V |
| Continuous Collector Current: | -600 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 50 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | -150 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |