MMBT5089LT1G, Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006219239
- Артикул
- MMBT5089LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 14,46 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 80 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | MMBT5089L |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 0.94 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 400 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 225 mW |
| Maximum Operating Frequency | 20 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 50 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 4.5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 25 V dc |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.05 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 4.5 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 30 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 50(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 25 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.8@1mA@10mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@1mA@10mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.05 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.05 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 400 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |