MMBT5087LT3G, 50V 250@100uA,5V 300mW 50mA PNP SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048306838
- Артикул
- MMBT5087LT3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.03
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- MMBT5087L
- Высота
- 0.94 mm
Цена по запросу
(от 73 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 50mA 50V PNP
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | MMBT5087L |
| Высота | 0.94 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.3 mm |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.05 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.05 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz |