MMBT5087LT1G, Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8279067306
- Артикул
- MMBT5087LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.03
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- MMBT5087L
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 50В, 50мА, 225мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | MMBT5087L |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 0.94 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236)| SOT-23-3(TO-236) |
| Ширина | 1.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 250 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Maximum Operating Frequency | 20 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | -50 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -3 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | -50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.05 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.05 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz |