Моя заявка (0)

MMBT5087LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 50В, 50мА, 225мВт, SOT23

MMBT5087LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 50В, 50мА, 225мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017547575
Артикул
MMBT5087LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
0.02
Длина
2.9 mm
Серия
MMBT5087L
Цена по запросу
(от 6,54 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 50mA 50V PNP

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.02
Длина2.9 mm
СерияMMBT5087L
Package TypeSOT-23
Высота0.94 mm
КорпусSOT-23-3(TO-236)
Ширина1.3 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain250
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation300 mW
Maximum Operating Frequency20 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum DC Collector Current-50 mA
Maximum Emitter Base Voltage-3 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage-50 V
Maximum Collector Emitter Voltage-50 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности225 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)3 V
Непрерывный коллекторный ток0.05 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.05 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)40 MHz

Техническая документация

MMBT5087LT1G ON Semiconductor***: купить, цена от 6,54 ₽ | ЭПЛ